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NJRs kleinste Schottky-Leistungsdiode der Welt

Die weltweit kleinste 650V/10A Siliziumkarbid-Schottky-Barrier-Diode von NJR.

Mit hoher Wärmeableitung

New Japan Radio (NJR) entwickelte eine 650V/10A Siliziumkarbid-Schottky-Barrier-Diode NJDCD010A065AA3PS in der weltweit kleinsten Größe von 4,0x6,5x0,9mm und mit hoher Wärmeableitung.

Der niedrige Wärmewiderstand von θjc=2.2℃/W(typ.) wurde durch ein Clip Bond Gehäuse erzielt. Die niedrige Vorwärtsspannung von VF = 1.5V (@ If = 10A) und die kurze Erholungszeit (recovery time) von 10ns (@VR=400V) reduziert die Schaltverluste.

Das kleine Gehäuse vermindert nicht nur den Platzbedarf, sondern auch die parasitären Kapazitäten und Induktivitäten, deren Wert gerade bei GaN und SiC Bausteinen in Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen wichtig ist.

Einsatzgebiete:

  • Ausgangsdiode der PFC-Schaltung
  • Freilaufdiode
  • Andere allgemeine Anwendungen

 

Ihr Ansprechpartner

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an Johannes Kornfehl.

Johannes Kornfehl is product marketing manager
Johannes Kornfehl Produkt Marketing Manager +43 1 86305-149 E-MAIL